Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах
Автор
Осадчук, О. В.
Дата
2001Metadata
Показати повну інформаціюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Анотації
Фотореактивні властивості напівпровідникових приладів знайшли широке використан-
ня в різноманітних пристроях радіоелектроніки [1,2], тому дослідження цих явищ в біпо
лярних транзисторних структурах разом з використанням їх від’ємного опору дозволяє
створити нові сенсорні прилади, які мають кращі параметри ніж існуючі [3-5].
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14853