Пошук
Відображеня елементи 191-200 із 203
Тензореактивний ефект в біполярних транзисторах
(Вісник Хмельницького Національного університету, 2020)
В роботі представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в біполярних тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які
відрізняються від існуючих тим, ...
Математическая модель микроэлектронного частотного преобразователя с влагочувствительным МДП – транзистором
(Каунасский технологический университет, 2003)
Использование современных технологий микроэлектроники предоставляет возможность разрабатывать и создавать влагочувствительные
элементы на основе МДП – транзисторных структур [1-5]. Использование МДП – транзисторных структур ...
Частотний оптичний перетворювач на основі двозатворних МOН-транзисторів та фоторезистора
(Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського, 2016)
Наведено модель частотного оптичного перетворювача на основі МОН-транзисторів та фоторезистора в якості фоточутливого елементу. Перетворювач володіє високою чутливістю в діапазоні низьких значень потужності оптичного ...
Мікроелектронні частотні перетворювачі вологості на основі транзисторних структур з від'ємним опором
(Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, 2014)
Подано результати експериментальних досліджень. на теперішній час серед первинних перетворювачів різного типу особливе місце у вимірювальній техніці займають сенсори вологості.
Підвищення чутливості перетворювачів вологості
(Nauka i Studia, 2013)
Згідно проведеного аналізу, на даний час серед первинних перетворювачів
різного типу особливе місце у вимірювальній техніці займають датчики
вологості [1]. Необхідність контролю вологості у промисловості, а також у
побуті ...
Визначення вольт-амперної характеристики вологочутливого перетворювача на основі комплементарної МДН-структури
(ВНТУ, 2004)
Отримано аналітичну залежність вольт-амперної характеристики частотного перетворювача вологості на основі системи рівнянь Кірхгофа, що описують поведінку комплементарної МДН-структури, згідно її еквівалентної схеми по ...
Ємнісний сенсор вологості гребінцевої структури на основі полімерних матеріалів
(ВНТУ, 2006)
Розроблено гребінцеву структуру волого чутливого елемента на базі ситалової підкладки розміром 0,7x0,9 см, на поверхні якої нанесена плівка міді, що утворює обкладки конденсатора у вигляді меандру. На основі гребінцевої ...
Мікроелектронні частотні перетворювачі вологості
(ВНТУ, 2018)
Розроблено мікроелектронні частотні перетворювачі вологості з ємнісними елементами, виготовленими на основі вологочутливих пористих шарів. Теоретично та експериментально доведено, що схемотехнічні рішення та фізико-хімічні ...
Ємнісний сенсор вологості
(Хмельницький національний університет, 2008)
Розроблено математичну модель ємнісного сенсора вологості, яка описує зміну ємності від кількості адсорбованої водяної пари для газового середовища. Вологомір являє собою систему V-подібних та трапецієподібних електродів, ...
Мікроелектронні частотні перетворювачі вологості на основі транзисторних структур з від'ємним опором
(ВНТУ, 2017)
Розроблено мікроелектронні частотні перетворювачі вологості з ємнісними елементами, які реалізують принцип перетворення «вологість–частота». Експериментально доведено, що фізико-хімічні властивості вологочутливого шару ...