Пошук
Відображеня елементи 231-240 із 345
Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах
(Хмельницький національний університет, 2014)
В статті розглянуто вплив деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Показано, що при малих тисках зміна параметрів напівпровідника відбувається за рахунок зміни рухливості носіїв ...
Мікроелектронний засіб для вимірювання вологост нафтопродуктів
(Хмельницький національний університет, 2014)
Розроблено математичну модель мікроелектронного засобу для вимірювання вологості нафтопродуктів, яка дозволяє визначити значення напруги або струму в будьякій точці схеми в заданий момент часу. Отримано залежності функції ...
Радіовимірювальний прилад потужності інфрачервоного випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник
(ВНТУ, 2012)
В роботі теоретично встановлено і експериментально підтверджено залежність реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором від потужності інфрачервоного випромінювання.
Математична модель частотного перетворювача вологості нафтопродуктів
(Хмельницький нацональний університет, 2010)
Розроблено математичну модель частотного перетворювача вологості нафтопродуктів, яка дозволяє визначити значення напруги або струму в будьякій точці схеми в заданий момент часу. Отримано залежності функції перетворення та ...
Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах
(Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, 2013)
The paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed ...
Частотний оптичний перетворювач з фототранзистором та активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів
(Хмельницький національний університет, 2014)
Розроблено математичну модель частотного оптичного перетворювача з фототранзистором та активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів, яка складається з біполярного і МДН¬ транзисторів та двох ...
Частотний перетворювач на основі магнітотранзистора та активно – індуктивного елемента
(Хмельницький національний університет, 2015)
В роботі розроблено математичну модель частотного перетворювача з магнітотранзистором та
активним індуктивним елементом, яка складається з біполярного та МДН-транзисторів та двох
магнітотранзисторів в якості магніточутливих ...
Засіб неруйнівного контролю фазових перетворень некристалічних напівпровідників
(ВНТУ, 2012)
В даній установці ДТА в якості пірометричних перетворювачів для вимірювання диференціальної та динамічної температур використовуються частотні вимірювальні перетворювачі на основі реактивних властивостей напівпровідникових ...
Метод вхідного контролю фазових переходів халькогенідних склоподібних напівпровідників
(ВНТУ, 2012)
Наукова новизна роботи полягає в тому, що удосконалено метод вхідного контролю фазових переходів халькогенідних склоподібних напівпровідників на основі безконтактного диференційно-термічного аналізу, який відрізняється від ...
Магнітний частотний сенсор
(Хмельницький національний університет, 2005)
В статті показано можливість прямого перетворення індукції магнітного поля в частоту на основі гібридної інтегральної схеми, що складається з двоколекторного магніточутливого транзистора, польового двозатворного транзистора ...