https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/12732 Tue, 07 Apr 2026 06:38:59 GMT 2026-04-07T06:38:59Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24771 Розробка системи передачі даних для безпілотних літальних апаратів Ющишен, О. А. В даній магістерській кваліфікаційній роботі (МКР) проводиться розробка системи передачі даних безпілотного літального апарата, що призначена для передачі інформації про об’єкти розташовані на поверхні землі, а також показники стану атмосфери на Землю. Для вирішення поставленої задачі проводиться розробка структурної та електричної принципової схеми. Також проводиться аналіз умов праці при роботі з системою, що розробляється, і розраховується економічний ефект від впровадження пристрою. Даний прилад відповідає всім вимогам до сучасних нормативів і стандартів. Отже, розроблена система передачі даних безпілотного літального апарата дає можливість її практичного застосування для вирішення реальних завдань. Розглянуто питання: опис приміщення, аналіз шкідливих факторів, оцінка безпеки роботи пристрою в умовах дії іонізуючого та електромагнітного імпульсу. Зроблені економічні розрахунки: розрахунок ціни реалізації виробу, розрахунок експлуатаційних витрат, розрахунок виробничої собівартості. Розроблена і виконана графічна частина проекту; In this master's qualification work (MKR) a system of data transmission of an unmanned aerial vehicle is being developed, intended to transmit information about objects located on the surface of the earth, as well as indicators of the state of the atmosphere on Earth. To solve the problem, a structural and electrical principle scheme is being developed. Also, an analysis of the working conditions when working with the system being developed, and calculates the economic effect of the implementation of the device. This appliance meets all the requirements of modern standards and standards. Consequently, the system of data transmission of unmanned aerial vehicles has been developed, which makes it possible for practical application to solve real problems. The questions are considered: the description of the premises, the analysis of harmful factors, assessment of the safety of the device under conditions of ionizing and electromagnetic pulse. Economic calculations made: calculation of product sales price, calculation of operating costs, calculation of production cost. The graphic part of the project is developed and executed. Керівник: канд. техн. наук, доц. Гаврілов Д. В. Mon, 01 Jan 2018 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24771 2018-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24770 Дослідження індуктивних властивостей низькочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв Юрець, Б. Ю. В даній магістерській кваліфікаційній роботі представлені дослідження реактивних властивостей низькочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв. Проаналізовано існуючі методи та засоби дослідження реактивних властивостей низькочастотних транзисторів та обґрунтувати переваги пристроїв на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні низьких частот по відношенню до існуючих. В теоретичній частині отримано аналітичний вираз для опису індуктивності низькочастотних транзисторів. Досліджено частотну залежність параметрів транзисторної індуктивності. Отримано залежність параметрів транзисторної індуктивності від режиму живлення з постійного струму. Також проведено дослідження залежності індуктивності від зміни величини базового опору, температури і величини вхідного сигналу. Проведено дослідження індуктивних властивостей транзистора з позитивною реактивністю в ланцюзі бази та з додатковою ємністю. На базі теоретичних результатів розроблено напівпровідникові аналоги індуктивності в області низьких частот і на їх основі створено генератори електричних коливань, а також проведено їх експериментальні дослідження. В економічній частині було визначено собівартість, економічний ефект та термін окупності пристрою. Також в роботі розглянутий розділ безпеки життєдіяльності.; In this master's qualification work, studies of reactive properties of low-frequency transistors and the creation of radio-based devices on their basis are presented. The existing methods and tools for investigating the reactive properties of low-frequency transistors are analyzed and the advantages of devices based on the reactive properties of transistors in the low-frequency range in relation to the existing ones are substantiated. In the theoretical part, an analytical expression is derived for describing the inductance of low-frequency transistors. The frequency dependence of the parameters of the transistor inductance is investigated. The dependence of the parameters of the transistor inductance on the power supply mode from a direct current is obtained. Also, the dependence of the inductance on the change in the magnitude of the base resistance, temperature, and magnitude of the input signal was studied. The inductive properties of a transistor with positive reactivity in the base circuit and with an additional capacitance are investigated. On the basis of theoretical results, semiconductor analogues of inductance have been developed in the low-frequency region, and electric oscillators have been created on their basis, and experimental studies have been carried out. In the economic part, the cost, economic effect and payback period of the device were determined. Also in the work the section of safety of vital activity is considered. Керівник: д-р техн. наук, проф. Осадчук В. С. Mon, 01 Jan 2018 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24770 2018-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24769 Вимірювач коефіцієнту шуму пристроїв оброблення радіосигналів на основі транзисторних структур з від’ємним опором Шевчук, О. В. У магістерській кваліфікаційній роботі проведено розробку та дослідження вимірювача коефіцієнту шуму пристроїв оброблення радіосигналів на основі транзисторних структур з від’ємним опором. У теоретичній частині проведено аналіз випадкових і шумових процесів в радіоелектронних пристроях, а також методів і засобів вимірювання шумових параметрів чотириполюсників. В практичній частині здійснено вибір та обґрунтування структурної схеми вимірювача коефіцієнта шуму, а також виконано розробку та дослідження блоку цифрової обробки сигналів проміжної частоти. Також у роботі проведено розрахунки економічної частини, а також охорони праці та безпеки в надзвичайних ситуаціях.; In the master's qualification work the development and research of the noise factor meter of radio signal processing devices on the basis of transistor structures with negative resistance is conducted. In the theoretical part the analysis of random and noise processes in radioelectronic devices, as well as methods and means of measuring the noise parameters of the four-pole. In the practical part, the choice and justification of the structural scheme of the noise meter was made, as well as the development and research of the digital processing unit of intermediate frequency signals. They also work the calculations of economic as well as health and safety in emergency situations. Керівник: д-р техн. наук, проф. Осадчук О. В. Mon, 01 Jan 2018 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24769 2018-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24759 Дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв Сторожук, С. П. В даній магістерській кваліфікаційній роботі представлені дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв. Проаналізовано існуючі методи та засоби дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та обґрунтувати переваги пристроїв на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні надвисоких частот по відношенню до існуючих. В теоретичній частині проведено розрахунок коефіцієнта передачі по струму у реактивному транзисторі у діапазоні надвисоких частот. Удосконалено математичну модель розрахунку повного вхідного опору індуктивного НВЧ транзистора. Досліджено вплив паразитних реактивностей виводів на величину вхідного опору, а також частотну залежність параметрів транзисторної НВЧ індуктивності. Запропоновано нові схеми помножувачів частоти на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором, які на відміну від відомих пристроїв враховують електрофізичні параметри транзисторів. На базі теоретичних результатів розроблено структури помножувачів частоти на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором, аналіз яких показав можливість підвищення метрологічні параметри у півтора рази в порівнянні з класичними пристроями. В економічній частині було визначено собівартість, економічний ефект та термін окупності пристрою. Також в роботі розглянутий розділ безпеки життєдіяльності.; In this master's qualification thesis researches of reactive properties of high-frequency transistors and creation on their basis of radio engineering devices are presented. The existing methods and means of a research of reactive properties of high-frequency transistors are analysed and to prove advantages of devices on the basis of reactive properties of transistors in the range of ultrahigh frequencies in relation to existing. In a theoretical part calculation of coefficient of transfer for current in the reactive transistor in the range of ultrahigh frequencies is carried out. The mathematical model of calculation of full entrance resistance inductive is improved by the transistor microwave oven. It is investigated influence of parasitic reactive of conclusions to the size of entrance resistance and also frequency dependence of parameters of the transistor microwave oven of inductance. New schemes of frequency multipliers on the basis of reactive properties of transistor structures with a negative resistance which unlike the known devices consider electrophysical parameters of transistors are offered. On the basis of theoretical results structures of frequency multipliers on the basis of reactive properties of transistor structures with a negative resistance which analysis showed a possibility of increase metrological parameters by one and a half times in comparison with classical devices are developed. In an economic part it was defined prime cost, economic effect and a payback period of the device. Also in work the section of health and safety is considered. Керівник: д-р техн. наук, проф. Осадчук В. С. Mon, 01 Jan 2018 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/24759 2018-01-01T00:00:00Z