https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3107 Tue, 14 Apr 2026 07:33:22 GMT 2026-04-14T07:33:22Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3568 Використання оптичних транспарантів для спеціалізованих обчислювальних систем Мялківська, І. В. Аналізується доцільність використання керованих транспарантів для спецобчислювачів. Розраховується розмір елементарної комірки транспаранта на напівпровідниках, а також досліджується можливість застосування різних типів транспарантів для виконання складних операцій.; Анализируется необходимость использования управляемых транспарантов для спецвычислителей. Рассчитывается размер элементарной ячейки транспаранта на полупроводниках, а также исследуется возможность применения различных видов транспарантов для выполнения сложных операций.; Necessity usage of controlled modulators for specialize computers is analyzed. A size of semiconductor modulator elementary cell is calculated. Opportunity of using different types of modulators for performing complex operations is investigated. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3568 2008-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3567 Short – range order of AgGaS2(Se2) amorphous compounds and epitaxially film growth on their base with superstructural cells Kasimov, F. D.; Mamedova, A. CH.; Alakbarova, E. E.; Ismailov, D.I. The short-range order parameters of AgGaS2(Se2) thin amorphous films have been investigated. The interatomic distances and numbers of the nearest neighbors have been determined from the atom radial distribution curves. It is shown, that the matrices of amorphous films consists from tetrahedral and octahedron surroundings of atoms. The opportunity of existence of super structural phase of AgGaS2 is established and the oriental parities existing between epitaxially accruing layers of a film and a substrate.; Параметри ближнього порядку з AgGaS2 (Se2) тонких аморфних плівок були досліджені. Міжатомні відстані і числа найближчих сусідів були визначені з атома кривих радіального розподілу. Показано, що матриці аморфних плівок складаються з тетраедричних і октаедричних оточення атомів. Можливість існування супер структурних фаз AgGaS2 створений і східних співвідношення, існуючі між епітаксійними нарахуваннями шарів плівки і підкладкою. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3567 2008-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3566 Peculiarites of magnetoresistance in single crystals InSe and GaSe, laser intercalated by chrome Pokladok, N. T.; Grygorchak, I. I.; Lukiyanets, B. A.; Popovych, D. I.; Ripetskyy, R. I. Giant magnetoresistance in the laser intercalated by chrome single crystals of gallium selenide and indium selenide is observed. Specific resistance in xInSe is changed both in its value and sign. In xGaSe the applied magnetic field causes 87% change of the specific resistance. Reason of the anomalous magnetoresistance is analyzed.; Гігантський магнітоопір в лазерному інтеркальованого хромом монокристалів селеніду галію і селеніду індію спостерігається. Питомий опір в xInSe змінюється як у величині і знаку. У xGaSe прикладеного магнітного поля викликає 87% зміна питомого опору. Причина аномального магнетоопору аналізується. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3566 2008-01-01T00:00:00Z https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3565 Вивчення електричних та фотодіодних характеристик органічної структури на основі плівки фталоціаніну нікелю легованої киснем, сформованої на гнучкій електропровідній підкладці Черпак, В. В.; Стахіра, П. Й.; Готра, З. Ю.; Волинюк, Д. Ю.; Закутаев, А. А.; Кремер, І. П. Проведено комплексний аналіз тонких плівок органічного молекулярного напівпровідника фталоціаніну нікелю (NiPc) легованого киснем та бар’єрної структуру на його основі, сформованої на гнучкій електропровідній підкладці ITO/NiPc/Al. Визначено основні процеси походження струму в бар’єрній структурі, спектральну фоточутливість та фотовольтаїчні параметри даної структури.; Проведено комплексный анализ тонких пленок молекулярного полупроводника фталоцианина никеля (NiPc) легированного кислородом и барьерной структуры на его основе, сформированной на гибкой токопроводящей подложке ITO/NiPc/Al. Определено основные процессы прохождения тока в барьерной структуры, спектральную фоточувствительность и фотовольтаические параметры данной структуры.; The complex analysis of thin films of oxygen doped organic molecular semiconductor nickel phthalocyanine (NiPc) and barrier structure on its base, formed on a flexible conductive substrate ITO/NiPc/Al was carried out. The main processes of current flow in barrier structure, spectral photosensitivity and photovoltaic parameters such structure were defined. Tue, 01 Jan 2008 00:00:00 GMT https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/3565 2008-01-01T00:00:00Z