Перегляд НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2019) за темою "chalcogenide glassy semiconductor (CGS)"
Відображеня елементи 1-1 із 1
-
Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R
(ВНТУ, 2019)У даній роботі наведено нові дані часового коливання параметрів комірок пам’яті таких, як порогова напруга Un та опір аморфної фази R. Отримані результати доповнюють інформацію про відхилення робочих параметрів пам’яті ...