Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, Володимир Степановичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorБарабан, Сергій Володимировичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Владимир Степановичru
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorБарабан, Сергей Владимировичru
dc.contributor.authorOsadchuk, Volodymyr Stepanovychen
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.contributor.authorBaraban, Serhii Volodymyrovychen
dc.date.accessioned2015-12-10T08:54:31Z
dc.date.available2015-12-10T08:54:31Z
dc.date.issued2009-06-10
dc.identifier41856
dc.identifier.citationПат. 41856 UA, МПК G01K 7/00. Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан (Україна). - № u200900483 ; заявл. 23.01.2009 ; опубл. 10.06.2009, Бюл. № 11. - 3 с. : кресл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2599
dc.description.abstractМікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. Введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий конденсатор.uk
dc.description.abstractМикроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементом содержит полевой транзистор, конденсатор, резистор, первый и второй источники напряжения, общую шину. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. Введены два биполярных транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, второй конденсатор.ru
dc.description.abstractMicroelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric element includes field transistor, capacitor, resistor, first and second power sources, common bus. To gate of field transistor film of pyroelectric is sputtered, and radiation absorber. Two bipolar transistors are included, with sputtered on base film of pyro-electric and radiation absorber, second capacitor.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectG01K 7/00
dc.subjectконтрольно-вимірювальна технікаuk
dc.subjectмікроелектронний пристрійuk
dc.subjectвимірювання температуриuk
dc.subjectпіроелектричний елементuk
dc.titleМікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементомuk
dc.title.alternativeМикроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементомru
dc.title.alternativeMicroelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric elementen
dc.typePatent


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію