Перегляд Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. 2019. № 2 по автору "Осадчук, А. В."
Відображеня елементи 1-1 із 1
-
Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа
Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А.; Osadchuk, O. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Y. A. (ВНТУ, 2019)В работе рассмотрена математическая модель физического механизма возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость ...