Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу
Аннотации
Розроблено методи оптимізації багатоелектродної напівпровідникової структури, використовуваної як перетворювач імітансу; сформульована цільова функція оптимізації, розроблено критерії оптимізації та проведена порівняльна оцінка їх переваг і недоліків. Разработаны методы оптимизации многоэлектродной полупроводниковой структуры, используемой как преобразователь иммитанса; сформулирована целевая функция оптимизации, разработаны критерии оптимизации и проведена сравнительная оценка их преимуществ и недостатков. The methods of optimization of multielectrode semiconductor structure, in-use as a transformer of immittance is developed; the objective function of optimization is formulated, the criteria of optimization are developed and the comparative estimation of their advantages and failings is conducted.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/182
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3376