• English
    • русский
    • українська
  • English 
    • English
    • русский
    • українська
  • Login
Search 
  • Frontpage
  • Науково-технічна бібліотека
  • Публікації співробітників бібліотеки
  • JetIQ 1
  • Search
  • Frontpage
  • Науково-технічна бібліотека
  • Публікації співробітників бібліотеки
  • JetIQ 1
  • Search
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Search

Show Advanced FiltersHide Advanced Filters

Filters

Use filters to refine the search results.

Now showing items 1-3 of 3

  • Sort Options:
  • Relevance
  • Title Asc
  • Title Desc
  • Issue Date Asc
  • Issue Date Desc
  • Results Per Page:
  • 5
  • 10
  • 20
  • 40
  • 60
  • 80
  • 100
Thumbnail

Дослідження сенсора температури з частотним виходом на основі квантової гетероструктури з від'ємним диференційним опором 

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. O. (Хмельницький національний університет, 2021)
Розгляд фізичних процесів у квантовій двобар`єрній гетероструктурі, яка є основою розбудови тунельно-резонансних діодів показав, що тунельно-резонансні діоди можна використовувати як сенсори температури з частотним вихідним ...
Thumbnail

Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода 

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Ya. A. (Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2020)
На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси в коливальній системі ...
Thumbnail

Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода 

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. A. (Хмельницький Національний університет, 2020)
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Discover

AuthorOsadchuk, A. V. (3)Osadchuk, V. S. (3)Осадчук, В. С. (3)Осадчук, О. В. (3)Осадчук, Я. О. (3)... View MoreTypeArticle (3)Subjectfrequency (3)negative differential resistance (3)від`ємний диференційний опір (3)
тунельно-резонансний діод (3)
частота (3)... View MoreLanguage (ISO)uk_UA (3)PublisherТаврійський національний університет імені В. І. Вернадського (1)Хмельницький Національний університет (1)Хмельницький національний університет (1)Udc621.382 (3)ISSN2307-5732 (2)2663-5941 (1)2663-595X (1)Date Issued2020 (2)2021 (1)Has File(s)Yes (3)

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ