Пошук

Відображеня елементи 11-19 із 19

Radiomeasuring pressure transducer with sensitive MEMS Capacitor

Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. A.; Kisała, P.; Zyska, T.; Annabaev, A.; Mussabekov, K.; Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О. (Stowarzyszenie Polskich Inżynierów Elektryków i Elektroników, 2017)

In the article the pressure transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and tenso sensitive MEMS capacitor has been considered. A mathematical model of ...

Дослідження сенсора температури з частотним виходом на основі квантової гетероструктури з від'ємним диференційним опором

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. O. (Хмельницький національний університет, 2021)

Розгляд фізичних процесів у квантовій двобар`єрній гетероструктурі, яка є основою розбудови тунельно-резонансних діодів показав, що тунельно-резонансні діоди можна використовувати як сенсори температури з частотним вихідним ...

Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Ya. A. (Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2020)

На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси в коливальній системі ...

Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. A. (Хмельницький Національний університет, 2020)

На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...

Математична модель газореактивного ефекту в напівпровідникових сенсорах газу

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О. (Хмельницький Національний університет, 2019)

В роботі розглянуто математичну модель газореактивного ефекту в первинних газочутливих напівпровідникових сенсорах, що описує залежність активної складової повного опору приповерхневого шару напівпровідникового газочутливого ...

Мікроелектронний перетворювач «вологість-частота» з ємнісними елементами на основі вологочутливих пористих шарів

Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Крилик, Л. В.; Селецька, О. О.; Мартинюк, В. В.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, A. V.; Krylik, L. V.; Seletska, O. O.; Martynyuk, V. V. (Хмельницький Національний університет, 2018)

Розроблено мікроелектронний частотний перетворювач вологості з вологочутливими конденсаторами Р14 Rapid (Wired і SMD) фірми «Innovative sensor technology», вологочутливим конденсатором HСH1000 фірми «Honeywell» та ...

Оптико-частотний витратомір газу

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Ільчук, Д. Р.; Пастушенко, Г. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. O.; Ilchuk, D. R.; Pastushenko, G. O. (Хмельницький Національний університет, 2021)

В роботі представлено дослідження оптико-частотного витратоміра газу на основі транзисторної структури з від`ємним диференційним опором. Розроблено математичну модель оптико-частотного витратоміра з фоточутливим резистивним ...

Тензореактивний ефект в біполярних транзисторах

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. A. (Вісник Хмельницького Національного університету, 2020)

В роботі представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в біполярних тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які відрізняються від існуючих тим, ...

Тензореактивний ефект у польових транзисторах

Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, A. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, I. A. (Вісник Хмельницького національного університету, 2020)

В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які відрізняються від існуючих тим, що ...