• Passive Immitance LC-Logic Gates 

      Чехместрук, Р. Ю.; Ліщинська, Л. Б.; Філинюк, М. А.; Войцеховська, О. В.; Чехместрук, Р. Ю.; Войцеховская, Е. В.; Филинюк, Н. А.; Лищинская, Л. Б.; Chekhmestruk, R. Yu.; Lishchynska, L. B.; Filinyuk, N. A.; Voycekhovska, O. V. (TCSET'2014, 2014)
      This article describes the passive components LC-Logic Gates "AND", "NOT", "OR", which you can build without power. Justified mode of operation, filed a truth table.
    • Активні НВЧ фільтри на базі двозатворних транзисторів шотткі 

      Філинюк, M. A.; Куземко, O. M.; Журбан, С. М. М.; Ліщинська, Л. Б. (ВНТУ, 2006)
      Пропонується новий спосіб реалізації напівпровідникової котушки індуктивності на двозатворному польовому транзисторі Шотткі та синтезовано на її основі схеми активних НВЧ фільтрів. Також наводяться результати математичного ...
    • Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу 

      Ліщинська, Л. Б.; Рожкова, Я. С.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2010)
      У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених ...
    • Аналіз коефіцієнта добротності помножувача індуктивності 

      Ліщинська, Л. Б.; Войцеховська, О. В.; Лазарєв, О. О.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2009)
      Розроблено методику підвищення коефіцієнта добротності помножувача індуктивності шляхом використання оптимальних параметрів узагальненого перетворювача імітансу.
    • Аналіз сучасних досягнень в галузі побудови радіочастотних сенсорів 

      Лазарєв, О. О.; Ліщинська, Л. Б.; Філинюк, М. А.; Бондарюк, Д. В. (ВНТУ, 2014-08-01)
      У роботі проведений аналіз сучасних досягнень в галузі побудови сенсорів на основі RFID-технології, також визначено найбільш перспективні технічні рішення. Визначено основні параметри такого роду сенсорів та проведено їх ...
    • Аналіз характеристик та обгрунтування індексів рослинності 

      Білинський, Й. Й.; Книш, Б. П.; Билинский, И. И.; Кныш, Б. П.; Bilynskyi, Yo. Yo.; Knysh, B. P. (ВНТУ, 2021)
      Проведено аналіз літературних джерел, виділено використовувані в дослідженнях індекси контролю параметрів рослинності (індекси рослинності). До таких параметрів варто віднести наявність хлорофілу, вміст води, ефективність ...
    • Аналіз чутливості давача на основі двокаскадного УПІN 

      Філинюк, М. А.; Ліщинська, Л. Б.; Ткачук, Я. С. (ВНТУ, 2014-09-30)
      Проведено дослідження давачів на основі двокаскадних багатопараметричних УПІN, реалізованих на польових транзисторах. Показано, що використання двох каскадів розширює функціональні можливості давача та підвищує його ...
    • Визначення вольт-амперної характеристики вологочутливого перетворювача на основі комплементарної МДН-структури 

      Осадчук, В. С.; Осадчук, О. В.; Крилик, Л. В. (ВНТУ, 2004)
      Отримано аналітичну залежність вольт-амперної характеристики частотного перетворювача вологості на основі системи рівнянь Кірхгофа, що описують поведінку комплементарної МДН-структури, згідно її еквівалентної схеми по ...
    • Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі 

      Філинюк, М. А.; Гаврілов, Д. В.; Ліщинська, Л. Б. (ВНТУ, 2004)
      Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення ...
    • Вологочутливий ємнісний сенсор для вимірювання вологості нафтопродуктів 

      Осадчук, О. В.; Звягін, О. С.; Крилик, Л. В. (Національний університет "Львівська політехніка", 2010)
      Розроблено математичну модель ємнісного сенсора вологості, яка описує залежність електричної ємності від зміни кількості вологості нафтопродукту. Розбіжність теоретичних та експериментальних результатів – 3 %.
    • Генераторні сенсори на базі негатронів 

      Ліщинська, Л. Б.; Мірошникова, С. В.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2009)
      Сформовані вимоги і розглянені технічні рішення побудови генераторних сенсорів на базі негатронів.
    • Дослідження паралельного коливального контуру з l-, c-негатронами 

      Войцеховська, О. В.; Лазарєв, О. О.; Ліщинська, Л. Б.; Ткачук, Н. М. (ВНТУ, 2012)
      Досліджено паралельний коливальний контур з L-, C-негатронами, умови стійкості такого контуру, отримано графіки частотних та фазочастотної характеристик, проведено експериментальні дослідження контуру на схемотехнічних ...
    • Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора 

      Філинюк, М. А.; Ліщинська, Л. Б.; Лазарєв, О. О.; Ткачук, Я. С.; Филинюк, Н. А.; Лищинская, Л. Б.; Лазарев, А. А.; Ткачук, Я. С.; Filinyuk, M. A.; Lishchynska, L. B.; Lazarev, A. A.; Tkachuk, Y. S. (Хмельницький національний університет, 2013)
      Метою  дослідження  є  визначення  основних  параметрів  імітансних  кіл  багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено  залежності  критичних  точок  імітансного кола  ...
    • Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора 

      Ліщинська, Л. Б.; Шведюк, А. Г.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2008)
      Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована ...
    • Ефективність комбінованих керованих елементів на основі однокристального узагальненого перетворювача іммітансу 

      Ліщинська, Л. Б.; Барабан, М. В.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2011)
      Розроблено теорію оцінки ефективності комбінації двохелектродних керованих елементів з узагальненими перетворювачами іммітансу та досліджено ефективність таких елементів на основі одноперехідної транзисторної структури.
    • Критериальная оценка эффективности токовых конвейеров 

      Філинюк, Н. А.; Лазарев, А. А.; Лищинская, Л. Б.; Стахов, В. П.; Филинюк, М. А.; Лазарєв, О. О.; Ліщинська, Л. Б.; Filinyuk, M. A.; Lazarev, A. A.; Lishchynska, L. B.; Stakhov, V. P. (Українська Державна Академія залізничного транспорту; Приватне підприємство "Технологічний Центр", 2013)
      В даній статті запропоновано інтегральний критерій оцінки ефективності струмових конвеєрів. Проведено комп’ютерне моделювання струмових конвеєрів на одному, двох і вісімнадцяти транзисторах та порівняння їх ефективності. ...
    • Методика синтезу таблиць перетворення імітансу багатопараметричних УПІn 

      Ліщинська, Л. Б.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2011)
      У статті запропоновано методику синтезу таблиць перетворення імітансу багатопараметричних УПІN. Питання синтезу проаналізовано в літературі лише частково, що вказує на важливість подальшої розробки методики синтезу таблиць ...
    • Мікроелектронний частотний перетворювач вологості з ємнісним вологочутливим елементом на основі стибій або бісмутвмісних діоксиматів ніколу (ІІ) 

      Селецька, О. О.; Осадчук, О. В.; Крилик, Л. В.; Євсєєва, М. П.; Селецкая, Е. А.; Осадчук, А. В.; Крилик, Л. В.; Евсеева, М. П.; Seletska, O. O.; Osadchuk, O. V.; Krylyk, L. V.; Yevseeva, M. P. (Хмельницький національний університет, 2016)
      Розроблено перетворювач вологості з ємнісним елементом, в якому вологочутливий шар виготовлений на основі стибій або бісмутвмісних діоксиматів ніколу (ІІ). Експериментально встановлено, що в діапазоні вологості 7 ÷ 30% ...
    • Оптоелектронний генераторний сенсор на базі двохпараметричного УПІ 

      Ліщинська, Л. Б.; Рожкова, Я. С.; Фурса, С. Є.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2010)
      В статті розглянуто шлях подолання складностей при проектуванні генераторних сенсорів з допомогою використання розробленої методики функціонального синтезу сенсорів на базі таблиць перетворення імітансу. Наведено математичну ...
    • Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу 

      Ліщинська, Л. Б.; Барабан, М. В.; Філинюк, М. А. (ВНТУ, 2010)
      Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та ...