Просмотр Наукові роботи каф. ЕНС по типу "Article"
Відображеня елементи 1-20 із 28
-
Passive Immitance LC-Logic Gates
(TCSET'2014, 2014)This article describes the passive components LC-Logic Gates "AND", "NOT", "OR", which you can build without power. Justified mode of operation, filed a truth table. -
Активні НВЧ фільтри на базі двозатворних транзисторів шотткі
(ВНТУ, 2006)Пропонується новий спосіб реалізації напівпровідникової котушки індуктивності на двозатворному польовому транзисторі Шотткі та синтезовано на її основі схеми активних НВЧ фільтрів. Також наводяться результати математичного ... -
Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу
(ВНТУ, 2010)У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених ... -
Аналіз коефіцієнта добротності помножувача індуктивності
(ВНТУ, 2009)Розроблено методику підвищення коефіцієнта добротності помножувача індуктивності шляхом використання оптимальних параметрів узагальненого перетворювача імітансу. -
Аналіз сучасних досягнень в галузі побудови радіочастотних сенсорів
(ВНТУ, 2014-08-01)У роботі проведений аналіз сучасних досягнень в галузі побудови сенсорів на основі RFID-технології, також визначено найбільш перспективні технічні рішення. Визначено основні параметри такого роду сенсорів та проведено їх ... -
Аналіз характеристик та обгрунтування індексів рослинності
(ВНТУ, 2021)Проведено аналіз літературних джерел, виділено використовувані в дослідженнях індекси контролю параметрів рослинності (індекси рослинності). До таких параметрів варто віднести наявність хлорофілу, вміст води, ефективність ... -
Аналіз чутливості давача на основі двокаскадного УПІN
(ВНТУ, 2014-09-30)Проведено дослідження давачів на основі двокаскадних багатопараметричних УПІN, реалізованих на польових транзисторах. Показано, що використання двох каскадів розширює функціональні можливості давача та підвищує його ... -
Визначення вольт-амперної характеристики вологочутливого перетворювача на основі комплементарної МДН-структури
(ВНТУ, 2004)Отримано аналітичну залежність вольт-амперної характеристики частотного перетворювача вологості на основі системи рівнянь Кірхгофа, що описують поведінку комплементарної МДН-структури, згідно її еквівалентної схеми по ... -
Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі
(ВНТУ, 2004)Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення ... -
Вологочутливий ємнісний сенсор для вимірювання вологості нафтопродуктів
(Національний університет "Львівська політехніка", 2010)Розроблено математичну модель ємнісного сенсора вологості, яка описує залежність електричної ємності від зміни кількості вологості нафтопродукту. Розбіжність теоретичних та експериментальних результатів – 3 %. -
Генераторні сенсори на базі негатронів
(ВНТУ, 2009)Сформовані вимоги і розглянені технічні рішення побудови генераторних сенсорів на базі негатронів. -
Дослідження паралельного коливального контуру з l-, c-негатронами
(ВНТУ, 2012)Досліджено паралельний коливальний контур з L-, C-негатронами, умови стійкості такого контуру, отримано графіки частотних та фазочастотної характеристик, проведено експериментальні дослідження контуру на схемотехнічних ... -
Дослідження параметрів імітансного кола двопараметричного конвертора імітансу на основі польового транзистора
(Хмельницький національний університет, 2013)Метою дослідження є визначення основних параметрів імітансних кіл багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу на основі польового транзистора. Досліджено залежності критичних точок імітансного кола ... -
Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора
(ВНТУ, 2008)Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована ... -
Ефективність комбінованих керованих елементів на основі однокристального узагальненого перетворювача іммітансу
(ВНТУ, 2011)Розроблено теорію оцінки ефективності комбінації двохелектродних керованих елементів з узагальненими перетворювачами іммітансу та досліджено ефективність таких елементів на основі одноперехідної транзисторної структури. -
Критериальная оценка эффективности токовых конвейеров
(Українська Державна Академія залізничного транспорту; Приватне підприємство "Технологічний Центр", 2013)В даній статті запропоновано інтегральний критерій оцінки ефективності струмових конвеєрів. Проведено комп’ютерне моделювання струмових конвеєрів на одному, двох і вісімнадцяти транзисторах та порівняння їх ефективності. ... -
Методика синтезу таблиць перетворення імітансу багатопараметричних УПІn
(ВНТУ, 2011)У статті запропоновано методику синтезу таблиць перетворення імітансу багатопараметричних УПІN. Питання синтезу проаналізовано в літературі лише частково, що вказує на важливість подальшої розробки методики синтезу таблиць ... -
Мікроелектронний частотний перетворювач вологості з ємнісним вологочутливим елементом на основі стибій або бісмутвмісних діоксиматів ніколу (ІІ)
(Хмельницький національний університет, 2016)Розроблено перетворювач вологості з ємнісним елементом, в якому вологочутливий шар виготовлений на основі стибій або бісмутвмісних діоксиматів ніколу (ІІ). Експериментально встановлено, що в діапазоні вологості 7 ÷ 30% ... -
Оптоелектронний генераторний сенсор на базі двохпараметричного УПІ
(ВНТУ, 2010)В статті розглянуто шлях подолання складностей при проектуванні генераторних сенсорів з допомогою використання розробленої методики функціонального синтезу сенсорів на базі таблиць перетворення імітансу. Наведено математичну ... -
Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу
(ВНТУ, 2010)Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та ...

