• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Імітансний логічний елемент "АБО"

Автор
Ліщинська, Людмила Броніславівна
Барабан, Марія Володимирівна
Філинюк, Микола Антонович
Лищинская, Людмила Брониславовна
Барабан, Мария Владимировна
Филинюк, Николай Антонович
Lischynska, Liudmyla Bronislavivna
Baraban, Mariia Volodymyrivna
Filyniuk, Mykola Antonovyc
Дата
2010-06-25
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Анотації
Імітансний логічний елемент "АБО" містить два транзистори, загальну шину, перший та другий входи пристрою, вихід пристрою, шину живлення, перший резистор, другий вивід якого з'єднаний з шиною живлення. Введено два конденсатори, два ключі, другий, третій, четвертий та п'ятий резистори. Як транзистор використано одноперехідні транзистори.
 
Иммитансный логический элемент "ИЛИ" состоит из двух транзисторов, общей шины, первого и второго входа устройства, выхода устройства, шины питания, первого резистора, второй вывод которого соединен с шиной питания. Введены два конденсатора, два ключа, второй, третий, четвертый и пятый резисторы. В качестве транзистора использованы однопереходные транзисторы.
 
An immitance logic element "OR" comprises two transistors, a unibus, first and second inputs of the device, output of the device, a power supply bus, a first resistor, second terminal of which is connected to the power supply bus. Two capacitors, two switches, second, third, fourth and fifth resistors are incorporated. As the transistor, double-base diodes are used.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1182
Відкрити
51012.pdf (146.8Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ