Сенсор магнітного поля на основі двоколекторного магнітотранзистора
Автор
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Мартинюк, В. В.
Дата
2005Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
У даній роботі представлені дослідження частотного сенсора магнітного поля на основі двоколекторного магніточутливого біполярного транзистора і двозатворного польового транзистора. Отримані аналітичні залежності функції перетворення і рівняння чутливості. Теоретичні і експериментальні дослідження показали, що чутливість розробленого частотного сенсора магнітного поля складає 100-200 Гц/мТ.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13634