The generator of superhigh frequencies on the basis silicon germanium heterojunction bipolar transistors
Автор
Osadchuk, V. S.
Osadchuk, O. V.
Osadchuk, Y. O.
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Дата
2016Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
investigations of the hyperfrequency generator presented on the basis of the transistor structure consisting from two silicon - germanium heterojunction of bipolar transistors. The opportunity of electrical adjustment of an oscillation frequency is shown.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13637