Мікроелектронний частотний сенсор оптичного випромінювання

Abstract

У даній роботі представлені дослідження мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання на основі біполярного транзистора та польового транзистора з бар’єром Шотткі з чутливим елементом на основі фоторезистора. Отримані аналітичні залеж-ності функції перетворення і рівняння чутливості. Теоретичні і експериментальні дослідження показали, що чутливість розробленого мікроелектронного частотного сенсора оптичного ви-промінювання складає 228 кГц/мкВт/см2.