Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом

Abstract

Мікроелектронний піроелектричний сенсор температури з частотним виходом містить польовий транзистор, пасивну індуктивність, конденсатор, перше і друге джерела напруги, загальну шину. До стоку польового транзистора підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності. Другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги. Другий вивід конденсатора з'єднаний з другим полюсом другого джерела напруги, другим полюсом першого джерела напруги і загальною шиною, до якої підключена друга вихідна клема. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. Введено біполярний транзистор з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, конденсатор з плівкою піроелектрика. Затвор польового транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги. Другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із колектором біполярного транзистора з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання. Витік польового транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання і емітер біполярного транзистора з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднані між собою. База біполярного транзистора з напиленими плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання з'єднана зі стоком польового транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, до якого підключена перша клема конденсатора з плівкою піроелектрика. Друга клема конденсатора з плівкою піроелектрика з'єднана з колектором біполярного транзистора з напиленими на затвор плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання і загальною шиною.

Микроэлектронный пироэлектрический сенсор температуры с частотным выходом содержит полевой транзистор, пассивную индуктивность, конденсатор, первый и второй источники напряжения, общую шину. К стоку полевого транзистора подключена первая выходная клемма и первый вывод пассивной индуктивности. Второй вывод пассивной индуктивности соединен с первым выводом конденсатора и первым полюсом второго источника напряжения. Второй вывод конденсатора соединен со вторым полюсом второго источника напряжения, вторым полюсом первого источника напряжения и общей шиной, к которой подключена вторая выходная клемма. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. Введен биполярный транзистор с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, конденсатор с пленкой пироэлектрика. Затвор полевого транзистора с напыленными пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения соединен с первым полюсом первого источника напряжения. Второй полюс первого источника напряжения соединен с коллектором биполярного транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения. Исток полевого транзистора с напыленными на затвор пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения и эмитер биполярного транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения соединены между собой. База биполярного транзистора с напыленными пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения соединена со стоком полевого транзистора с напыленными на затвор пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, к которому подключена первая клемма конденсатора с пленкой пироэлектрика. Вторая клемма конденсатора с пленкой пироэлектрика соединена с коллектором биполярного транзистора с напыленными на затвор пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения и общей шиной.

Micro-electronic pyroelectric temperature sensor with frequency output has field transistor, passive inductivity, capacitor, first and second voltage sources, common bus. To sink of field transistor first output terminal is connected, and first output of passive inductivity. Second output of passive inductivity is connected to first output of capacitor and first pole of first voltage source and common bus to which second output terminal is connected. On the gate of field transistor film of pyroelectric is sputtered , and radiation absorber. Bipolar transistor is included, with sputtered to base film of pyroelectric and radiation absorber, capacitor with film of pyroelectric. Gate of field transistor with sputtered film of pyroelectric and radiation absorber is connected to the first pole of first voltage source. Second pole of first voltage source is connected to collector of bipolar transistor with sputtered to base film of pyroelectric and radiation absorber. Sink of field transistor with sputtered to gate film of puroelectric and radiation absorber and emitter of bipolar transistor with sputtered to base film of pyroelectric and radiation absorber are connected to each other. Base of bipolar transistor with sputtered film of pyroelectric and radiation absorber is connected to sink of field transistor with sputtered to gate film of pyroelectric and radiation absorber to which first terminal of capacitor with film of pyroelectric is connected. Second terminal of capacitor with film of pyroelectric is connected to collector of bipolar transistor with sputtered to gate film of pyroelectric and radiation absorber and common bus.