• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Напівпровідниковий гігрометричний сенсор

Author
Осадчук, Олександр Володимирович
Крилик, Людмила Вікторівна
Гладковська, Олена Леонідівна
Звягін, Олександр Сергійович
Савицький, Антон Юрійович
Осадчук, Александр Владимирович
Крилик, Людмила Викторовна
Гладковская, Елена Леонидовна
Звягин, Александр Сергеевич
Савицкий, Антон Юрьевич
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Krylyk, Liudmyla Viktorivna
Hladkovskaya, Olena Leonidivna
Zviahin, Oleksandr Serhiiovych
Savytskyi, Anton Yuriiovych
Date
2009-06-25
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Abstract
Напівпровідниковий гігрометричний сенсор містить два польових транзистори, витоки яких з'єднано між собою, на затворі одного з яких створено гребінчасту структуру вологочутливого матеріалу, джерело постійної напруги. Перший і другий польові транзистори є двозатворними, другий транзистор також є вологочутливим. Введено перший, другий, третій і четвертий резистори, ємність й індуктивність.
 
Полупроводниковый гигрометрический сенсор содержит два полевых транзистора, истоки которых соединены между собой, на затворе одного из которых создана гребенчатая структура влагочувствительного материала, источник постоянного напряжения. Первый и второй полевые транзисторы являются двухзатворными, второй транзистор также влагочувствительный. Введены первый, второй, третий и четвертый резисторы, емкость и индуктивность.
 
Semiconductor hydrometer sensor has two field transistors sinks of which are connected to each other, on gate of one of those comb structure of moisture-sensitive material is formed, source of direct voltage. First and second field transistors are two-gate ones, second transistor is moisture-sensitive as well. First, second, third and fourth resistors are included, capacitor and inductivity.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1441
View/Open
42218.pdf (88.39Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ