Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах

Abstract

Фотореактивні властивості напівпровідникових приладів знайшли широке використан- ня в різноманітних пристроях радіоелектроніки [1,2], тому дослідження цих явищ в біпо лярних транзисторних структурах разом з використанням їх від’ємного опору дозволяє створити нові сенсорні прилади, які мають кращі параметри ніж існуючі [3-5].