• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • View Item
  • Frontpage
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах

Author
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Date
2001
Metadata
Show full item record
Collections
  • Наукові роботи каф. ІРТС [790]
Abstract
В статті розглянута математична модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного в залежності від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоре-тичних розрахунків у межах 5%.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14857
View/Open
Стаття (339.7Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ