Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
Автор
Михалевський, Д. В.
Mykhalevskiy, D. V.
Дата
2013Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІКСТ [437]
Аннотации
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю. In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014