Визначення питомого опору запам’ятовуючого пристрою на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників

Abstract

Для побудови запам'ятовуючих пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) використовується фізичний ефект перемикання, суть якого полягає в зміні характеру провідності, яка має місце при зміні напруженості електричного поля. При поступовому збільшенні напруженості електричного поля до деякого порогового значення Е0 струм збільшується майже лінійно. При Е0 має місце зменшення напруженості до деякого значення Евмк при відносно малій зміні величини струму, а потім відбувається різке збільшення величини струму при Е0 > Евмк. Режим, при якому струм зростає за лінійним законом, називають режимом «вимкнено», а режим різкого зростання струму при Е0 > Евмк - режимом «ввімкнено». Таким чином вольт-амперна характеристика виявляється S-подібною. При зміні полярності напруги вид цієї характеристики повторюється. Тобто можна вважати, що вольт-амперна характеристика ХСН по зовнішньому вигляду повторює ВАХ симетричного тиристора, тобто має місце від'ємна диференціальна провідність як на прямій, так і на зворотній гілці ВАХ. Відомо, що при зростанні напруженості електричного поля при Е0 > Евмк, виникає шнурування струму. Вважають, що ефект перемикання в ХСН має електронну природу, хоча термічні ефекти відіграють певну роль. В багатьох тонких шарах ХСН при довгому перебуванні в стані «ввімкнено» відбувається запам'ятовування і для того, щоб повернути зразок в початковий стан, необхідно використовувати імпульси великої амплітуди. З іншої сторони при не дуже довгому перебуванні в стані «ввімкнено» процес перемикання виявляється зворотним; вимикання електричного поля повертає зразок в початковий стан.

To build storage devices based on chalcogenide glassy semiconductors (CGS) used physical effect switching. The essence of this effect is to change the nature of conductivity, which occurs when changing electric field. With the gradual increase of the electric field to a certain threshold E0 current increases almost linearly. If E0 is a reduction of tension to some value Evmk a relatively small change in value of current, and a sharp increase in the value of current at E0> Evmk. Mode in which the current increases linearly, called mode "off", and the regime a sharp rise in current at E0> Evmk - mode "enabled." Thus the current-voltage characteristic S-shaped turns. If you change the polarity of the voltage characteristics of this kind is repeated. That is, we can assume that the current-voltage characteristic of CGS in appearance follows CVC symmetrical thyristor, that is a negative differential conductivity on the line as well as on the back of a branch of the CVC. It is known that the growth of the electric field at E0> Evmk, there lacing current. It is believed that the switching effect of CGS refers to an electronic sector, although thermal effects play a role. In many thin layers of CGS during a long stay in a state of "enabled" is remembering and to return the pattern to its original state, you must use pulses of large amplitude. On the other hand is not very long stay in a state of "turned on" switch turns reverse process; turn off of the electric field returns the pattern to its original state.