Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
Автор
Kychak, V. M.
Slobodyan, I. V.
Кичак, В. М.
Слободян, І. В.
Дата
2012Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІКСТ [422]
Аннотации
In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical conductivity of memory cell.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15213