Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН

Abstract

Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. Встановлено, що при збільшенні ефективної рухливості дірок відбувається різке зменшення часу затримки. Також виявлено, що мінімальний час затримки спостерігається лише на певному проміжку концентрації пасток, а їх подальше зменшення веде до різкого нелінійного збільшення цього часу. При зростанні концентрації пасток час затримки стабільно, лінійно збільшується. Отримані результати збігаються із експериментальними і це дає можливість покращити математичне моделювання фізичних процесів, що відбуваються у комірках пам’яті на базі ХСН.

The research shows that with the temperature increases, latency switching of memory cell based on CGS, nonlinear increases and the more ionization threshold, the slower growth. It is determined that an increase in the effective hole mobility leads to a sharp decrease delay time. Also found that a minimum delay occurs only at a certain period of concentration of traps and their subsequent reduction leads to a sharp non-linear increase of this time. With increasing concentration of traps, delay time are steadily, linearly increases. The results coincide with the experimental, and this makes it possible to improve the mathematical modeling of physical processes that occur in memory cells based on the CGS.