Математична модель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі
Author
Колесницький, О. К.
Бокоцей, І. Д.
Date
2011Metadata
Show full item recordCollections
- Наукові роботи каф. КН [797]
Abstract
В статті розроблено математичну модель нейроелемента на біспін-приладі, яка, по-перше, дозволяє
визначати не тільки частоту вихідних імпульсів, а і допустимий діапазон оптичних потужностей вхідних
сигналів, а, по-друге, встановлює залежність не від зовнішніх (експлуатаційних) параметрів біспін-приладу, а від
внутрішніх (технологічних) параметрів біспін-структури. Це дуже важливо при інтегральній реалізації масиву
штучних нейронів, де на етапі проектування та виготовлення необхідно знати потрібні технологічні параметри
напівпровідникових структур для досягнення заданих параметрів штучних нейронів.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19107