Математична модель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі
Автор
Колесницький, О. К.
Бокоцей, І. Д.
Дата
2011Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. КН [797]
Аннотации
В статті розроблено математичну модель нейроелемента на біспін-приладі, яка, по-перше, дозволяє
визначати не тільки частоту вихідних імпульсів, а і допустимий діапазон оптичних потужностей вхідних
сигналів, а, по-друге, встановлює залежність не від зовнішніх (експлуатаційних) параметрів біспін-приладу, а від
внутрішніх (технологічних) параметрів біспін-структури. Це дуже важливо при інтегральній реалізації масиву
штучних нейронів, де на етапі проектування та виготовлення необхідно знати потрібні технологічні параметри
напівпровідникових структур для досягнення заданих параметрів штучних нейронів.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19107