Дослідження стійкості та чутливості елементів автоматики на базі L-, C-негатронів

Abstract

Метою досліджень є покращення технічних характеристик елементів автоматики за рахунок використання L-, C-негатронів. Для досягнення поставленої мети розв’язуються наступні задачі: 1. Дослідження енергетичних властивостей L-, С-негатронів N- та S-типів та визначення взаємозв’язку між видом вебер-амперної, кулон-вольтної харак-теристик та еквівалентними схемами L-, С-негатронів. 2. Дослідження стійкості та визначення можливих режимів роботи елект-ронних схем з L-, С-негатронами в залежності від співвідношення параметрів елементів еквівалентних схем L-, С-негатронів та параметрів навантаження. 3. Дослідження чутливості електронних схем з L-, С-негатронами в зале-жності від виду включення L-, С-негатронів в електронне коло та співвідно-шення параметрів елементів електронного кола та L-, С-негатронів. 4. Дослідження динамічних негатронів на базі біполярних і польових тра-нзисторів як базових елементів при створенні ряду пристроїв автоматики на базі динамічних RLC-негатронів. 5. Дослідження коливальних контурів з L-, C-негатронами, що є базо-вими елементами при створенні ряду пристроїв автоматики. 6. Розробка та дослідження ряду елементів автоматики на базі L-, C-негатронів (індуктивних та ємнісних сенсорів на базі L-, C-негатронів, аналого-вих високочастотних ключів на С-негатронах).

The thesis deals with the stability and sensitivity of elements of automatics on the basis of L-, C-negatrons. The energy properties of L-, C-negatrons are investigated in the work, that has allowed to define interrelation between a kind of fluxcurrent, charge-voltage characteristics and the equivalent circuits of L-, C-negatrons. Conditions of stability and possible modes of operation of loaded L-, C-negatrons Nand S-types are determined. Sensitivity of electronic circuits with L-, C-negatrons is determined. It is shown, that L-, C-negatrons are multipurpose elements which use allows to improve characteristics of elements of automatics. The dynamic negatrons on the basis of bipolar and field transistors in circuits with common emitter and common source are investigated. Oscillatory contours with L-, C-negatrons are investigated. A number of elements of automatics on the basis of L-, C-negatrons (inductive and capacitor sensors which have the sensitivity at 20-40 time more in comparison to prototypes; broadband high-frequency analog keys on C-negatrons) are developed and investigated.