Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів
Abstract
Створення цифрової енергонезалежної пам’яті (PCM – Phase Change Memory), що працює на базі елементів із халькогенідного скла, яке використовує принцип зворотного фазового переходу «аморфний-кристалічний» стан, є пріоритетним у галузі мікротехнологій. В тонких нанорозмірних плівках ХСН за рахунок електричного імпульсу відбуваються локальні структурні трансформації. Creating digital-based non-volatile memory (PCM - Phase Change Memory), based on elements of chalcogenide glass, which uses the principle of reverse phase transition "amorphous-crystalline" state, is a priority in the field of microtechnology. In the thin nanoscale films of the CGS, due to the electric pulse, local structural transformations take place.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/20931