Мікроелектронний пристрій для виміру вологості
Автор
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Дата
2001-11-15Metadata
Показати повну інформаціюCollections
- Патенти (ВДТУ) [339]
Анотації
Винахід належить до області контрольно-вимірювальної техніки і може бути використаний як датчик вологості, в різноманітних пристроях автоматичного керування технологічними процесами. Мікроелектронний пристрій для виміру вологості, який містить два вологочутливих польових транзистори і джерело постійної напруги, два резистори, ємність, третій вологочутливий польовий транзистор і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого резистора, а другий вивід першого резистора з'єднаний із затвором першого вологочутливого польового транзистора, витік і підкладка якого з'єднані з витоком і підкладкою другого вологочутливого польового транзистора, при цьому стік першого вологочутливого польового транзистора з'єднаний із затвором третього вологочутливого польового транзистора і його витоком, який підключений до першого виводу першої ємності, а другий вивід першої ємності з'єднаний із підкладкою третього вологочутливого польового транзистора і першим виводом другого резистора, а другий вивід другого резистора з'єднаний із стоком третього вологочутливого польового транзистора. Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано в качестве датчика влажности, в различных устройствах автоматического управления технологическими процессами. Микроэлектронное устройство для измерения влажности, включающее два влагочувствительных полевых транзистора и источник постоянного напряжения, два резистора, емкость, третий влагочувствительный полевой транзистор и второй источник постоянного напряжения, причем первый полюс первого источника постоянного напряжения соединен с первым выводом первого резистора, а второй вывод первого резистора соединен с затвором первого влагочувствительного полевого транзистора, выход и подкладка которого соединены с выходом и подкладкой второго влагочувствительного полевого транзистора, при этом сток первого влагочувствительного полевого транзистора соединен с затвором третьего влагочувствительного полевого транзистора и его выходом, который подключен к первому выводу первой емкости, а второй вывод первой емкости соединен с подкладкой третьего влагочуствительного полевого транзистора и первым выводом второго резистора, а второй вывод второго резистора соединен со стоком третьего влагочувствительного полевого транзистора. The invention relates to the sphere of checking and measuring engineering and can be used as a humidity sensor in various appliances of automatic control of production methods. The microelectronic device for humidity measurements includes two humidity-sensitive field-effect transistors and a source of constant voltage, two resistors, a capacity, the third humidity-sensitive field-effect transistor and the second source of constant voltage, at that the first pole terminal of the first source of the constant voltage is connected to the first lead terminal of the first resistor and the second lead terminal of the first resistor is connected to the control gate of the first humidity-sensitive field-effect transistor which output and cushion are connected to the output and cushion of the second humidity-sensitive field-effect transistor, at that the drainage of the first humidity-sensitive field-effect transistor is connected with the control gate of the third humidity-sensitive field-effect transistor and its output which is connected to the first lead terminal of the first capacity, and the second lead terminal of the first capacity is connected to the cushion of the third humidity-sensitive field-effect transistor and the first terminal lead of the second resistor, and the second terminal lead of the second resistor is connected to the drainage of the third humidity-sensitive field-effect transistor.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22075