Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
Автор
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Барабан, С. В.
Ільченко, О. М.
Дата
2008-06Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2274