• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом

Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Барабан, Сергій Володимирович
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Барабан, Сергей Владимирович
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Baraban, Serhii Volodymyrovych
Date
2009-06-10
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [678]
Abstract
Мікроелектронний пристрій для вимірювання температури з активним індуктивним піроелектричним елементом містить польовий транзистор, конденсатор, резистор, перше і друге джерела напруги, загальну шину. На затвор польового транзистора напилено плівку піроелектрика і поглинач випромінювання. Введено два біполярних транзистори з напиленими на базу плівкою піроелектрика і поглиначем випромінювання, другий конденсатор.
 
Микроэлектронное устройство для измерения температуры с активным индуктивным пироэлектрическим элементом содержит полевой транзистор, конденсатор, резистор, первый и второй источники напряжения, общую шину. На затвор полевого транзистора напылена пленка пироэлектрика и поглотитель излучения. Введены два биполярных транзистора с напыленными на базу пленкой пироэлектрика и поглотителем излучения, второй конденсатор.
 
Microelectronic device for measurement of temperature with active induced pyroelectric element includes field transistor, capacitor, resistor, first and second power sources, common bus. To gate of field transistor film of pyroelectric is sputtered, and radiation absorber. Two bipolar transistors are included, with sputtered on base film of pyro-electric and radiation absorber, second capacitor.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2599
View/Open
41856.pdf (162.5Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ