Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs

Abstract

У статті наведені результати дослідження впливу попередньої обробки напівпровідникової пластини, режимів нанесення та термообробки контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs на питомий перехідний опір.

The paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance.

В статье приведены результаты исследования влияния предварительной обработки полупроводниковой пластины, режимов нанесения и термообработки контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs на удельное переходное сопротивление.