Визначення функції перетворення частотного перетворювача оптичного потужності на основі двох МДН-транзисторів з кремнієвим сонячним елементом

Abstract

В роботі розглянуто мікроелектронний перетворювач потужності оптичного випромінювання. В основу роботи пристрою закладено підвищення чутливості і точності вимірювання інформативного параметру за рахунок виконання ємнісного елемента коливального контуру на основі першого і другого МДН-транзисторів.

We consider microelectronic optical power converter. The basis of the device laid improve the sensitivity and accuracy of measurement information parameter by running the capacitive element oscillating circuit based on the first and second field-effect transistors.