• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Матеріали конференцій ВНТУ
  • Науково-технічні конференції підрозділів Вінницького національного технічного університету (НТКП ВНТУ)
  • L НТКП ВНТУ (2021)
  • НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2021)
  • View Item
  • Frontpage
  • Матеріали конференцій ВНТУ
  • Науково-технічні конференції підрозділів Вінницького національного технічного університету (НТКП ВНТУ)
  • L НТКП ВНТУ (2021)
  • НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2021)
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Оптико-частотний сенсор газу для скринінг тесту штамів бактерії HELICOBACTER PYLORI

Author
Осадчук, О. В.
Осадчук, Н. І.
Осадчук, Я. О.
Date
2021
Metadata
Show full item record
Collections
  • НТКП ВНТУ. Факультет інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (2021) [43]
  • Наукові роботи каф. ІРТС [790]
Abstract
В роботі розглянуто оптико-частотний сенсор концентрації газу для скринінг тесту штамів бактерії Helicobacter Pylori. Даний оптико-частотний сенсор концентрації газу побудований на основі транзисторної структури з від`ємним диференційним опором з чутливими до оптичного випромінювання МДН транзистором з спектром поглинання в діапазоні інфрачервоного випромінювання 1590 – 1610 nm відповідного для спектру поглинання аміаку. Розроблено математичну модель оптико-частотного сенсора концентрації газу, що враховує вплив оптичного випромінювання на елементи нелінійної еквівалентної схеми МДН транзистора.
 
The optical-frequency gas concentration sensor for screening test of Helicobacter Pylori strains is considered in the paper. This optical-frequency gas concentration sensor is based on a transistor structure with a negative differential resistance with an optical-sensitive MOSFET transistor with an absorption spectrum in the infrared radiation range of 1590 - 1610 nm corresponding to the ammonia absorption spectrum. A mathematical model of the optical-frequency gas concentration sensor has been developed, which takes into account the influence of optical radiation on the elements of the nonlinear equivalent circuit of the MOS transistor
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/32197
681.2.08
View/Open
82144.pdf (490.0Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ