Логічні радіо-імпульсні пристрої на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від’ємним диференційним опором

Abstract

У роботі наведено результати розроблення та дослідження логічних радіо-імпульсних пристроїв на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від’ємним диференційним опором. Проведено аналіз функціональних пристроїв на основі резонансно-тунельного ефекту, таких як резонансно-тунельні діоди, модуляційно-леговані польові транзистори, біполярні транзистори на гетеропереходах, транзистори на гарячих електронах і транзистори з резонансним тунелюванням. Розроблено та досліджено електричні схеми радіо-імпульсних пристроїв на основі резонансно-тунельних діодів призначених для виконання логічних операцій XOR та XNOR. Отримано результати електричних розрахунків і комп’ютерного схемотехнічного моделювання радіо-імпульсних логічних пристроїв на основі резонансно-тунельних діодів. Графічна частина складається з 6 плакатів із результатами дослідження. Також у роботі розроблено розділи економічної частини, охорони праці та безпеки в надзвичайних ситуаціях.

The paper presents the results of the development and research of logical radio-pulse devices based on resonant tunneling semiconductor structures with negative differential resistance. The analysis of functional devices based on the resonant tunneling effect, such as resonant tunneling diodes, modulation-doped field effect transistors, bipolar transistors on heterojunctions, transistors on hot electrons and transistors with resonant tunneling. The electrical circuits of radio-pulse devices based on resonant tunneling diodes designed to perform logical operations XOR and XNOR were developed and investigated. The results of electrical calculations and computer circuit simulation of radio-pulse logic devices based on resonant tunneling diodes are obtained. The graphic part consists of 6 posters with the results of the study. The work also developed sections of the economic part, labor protection and safety in emergency situations.