Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті

Abstract

Магістерська дипломна робота присвячена дослідженню засобів покращення завадостійкості напівпровідникових пристроїв пам’яті, методів та способів підвищення контролю напівпровідникових пристроїв пам’яті. Дані методи дозволяють виправляти помилки в напівпровідникових пристроях пам’яті за допомогою корегуючих кодів. В роботі проведено аналіз критеріїв коректувальної здатності лінійних блокових кодів. Показано, що для ітеративних детермінованих кодів мінімальна кодова відстань зростає зі збільшенням кількості ітерацій. Запропоновано спосіб підвищення коректувальної здатності на прикладі кода Елаєса.