Temperature transducer based on metal-pyroelectric-semiconductor structure with negative differential resistance
Автор
Osadchuk, V. S.
Osadchuk, O. V.
Baraban, S. V.
Zyska, T.
Zhanpeisova, A.
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В.
Барабан, С. В.
Дата
2018Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
The paper analyses modern development status of temperature transducer on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature transducer on the basis of transistor structure with negative differential resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/34059