Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника

Abstract

Запропоновано структуру комiрки пам’ятi, в якiй як елемент розв’язки, використовується тонкоплiвковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а як перемикаючий елемент - плiвка халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника. Розроблена фiзична модель комiрки пам’ятi.