Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using Java cross-platform application

Abstract

В роботі описано метод одержання p-n переходів за рахунок лазерної перекристалізації поверхні напівпровідникових зразків CdTe, а також розроблений на мові Java програмний додаток, який дозволяє моделювати теплові процеси на межі розділу епітаксийний шарпідкладка при лазерному опроміненні поверхні напівпровідника. Він дозволяє робити прогнози стосовно товщини проплавленого шару, що буде впливати на параметри приладів, виготовлених на базі одержаних бар’єрних шарів. Проведено теоретичне моделювання процесів, які відбуваються при поглинанні лазерного випромінювання приповерхневим шаром напівпровідника.

The paper describes a method for obtaining p-n transitions due to the laser recrystallization of the surface of CdTe semiconductor samples, as well as a software application developed in Java that allows the simulation of thermal processes at the boundary of the epitaxial layer-substrate with laser irradiation of the semiconductor surface. It allows to make predictions regarding the thickness of the melted layer, which will affect the parameters of the devices made on the basis of the obtained barrier layers. The theoretical modeling of the processes taking place at absorption of laser radiation by the surface layer of a semiconductor is carried out.