Розробка математичної моделі перемикання електричної поляризації у сегнетоелектричному конденсаторі

Abstract

Розроблено математичну модель перемикання електричної поляризації сегнетоелектричного конденсатора, яка адекватно відображає процеси запису та зчитування в елементах FRAM-пам’яті і придатна для розробки автоматизованого проектування сегнетоелектричних накопичувальних елементів і пристроїв. Фізичні моделі перемикання електричної поляризації у сегнетоелектричному конденсаторі є лише окремими випадками кристалізаційних за певних припущень щодо розмірності доменів, процесів їхнього зародження, розростання і перекриття. Тому в роботі проведено перене-сення відомої геометрико-ймовірнісної моделі кристалізації розплаву на процеси переполяризації сег-нетоелектриків. Для цієї кристалізаційної моделі розроблені два варіанти її практичної реалізації: для χ- і β-процесів. Відповідно в математичній моделі можна виділити дві складові, назвавши їх χ- та β-моделями перемикання поляризованості в сегнетоелектричному конденсаторі. Відмінність розробленої моделі від інших полягає в тому, що в кристалізаційній моделі вводиться початкове значення поляризованості та проводиться змішане (часове і просторове) нормування параметрів сегнетоелектричного матеріалу. Зокрема, введено поняття характеристичного часу, що є часом подвоєння радіусу зародків в полях з напруженостями значно більшими полів активації; характеристичного об’єму, який для χ-процесу дорівнює переполяризованому зародженням об’єму за характеристичний час, а для β-процесу — початковому об’єму, поляризованому в напрямку поля до його прикладання та відносного поля активації зародження і розростання доменів. Узагальнені нормовані моделі зі змішаним нормуванням виявилися зручнішими для висування певних вимог до параметрів сегнетоелектричного матеріалу з метою отримання заданих характеристик сегнетоелектричних запам’ятовувальних елементів за швидкодії і інтенсивності струмів перемикання.

In this paper, a mathematical model of switching the electrical polarization of a ferroelectric capacitor was developed, which adequately reflects the processes of writing and reading in the elements of FRAM-memory and is suitable for devel-oping automated design of ferroelectric storage elements and devices. Physical models of switching electrical polarization in a ferroelectric capacitor are found only in isolated cases of crystallization under certain assumptions about the dimension of domains, the processes of their nucleation, growth and overlap. Therefore, the work carried out the transfer of the known geometric-probabilistic model of melt crystallization to the processes of repolarization of ferroelectrics. For this crystallization model, two variants of its practical implementation have been developed — for χ- and β-processes. Accordingly, in the mathematical model we can distinguish two components, calling them χ- and β-models of switching polarization in a ferroe-lectric capacitor. The difference between the developed model and others is that in the crystallization model the initial value of polariza-tion is introduced and mixed (temporal and spatial) normalization of the parameters of the ferroelectric material is performed. In particular, the concept of characteristic time is introduced, which is the time of doubling the radius of embryos in fields with intensities much larger than the activation fields; characteristic volume, which for the χ-process is equal to the volume repolarized by germination over the characteristic time, and for the β-process — the initial volume, polarized in the direction of the field before its application and the relative field of activation of germination and growth of domains. Generalized normalized models with mixed rationing proved to be more convenient for setting certain requirements for the parameters of ferroelectric material in order to obtain the specified characteristics of ferroelectric storage elements in terms of speed and intensity of switching currents.