• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3
  • View Item
  • Frontpage
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Оцінка основних параметрів імітансних логічних елементів

Author
Ліщинська, Л. Б.
Date
2012-10-26
Metadata
Show full item record
Collections
  • Наукові роботи каф. ПЗ [1511]
  • Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. 2011. № 3 [13]
Abstract
Проведено обґрунтування основних параметрів імітансних логічних елементів: швидкодії, коефіцієнту об‘єднання по входу, коефіцієнту розгалуження, коефіцієнту стійкості, споживаної потужності і потужності, яка витрачається на переключення. Отримані аналітичні вирази для цих параметрів, які придатні до використання при реалізації імітансних ЛЕ як на біполярних, так і польових транзисторних структурах.
 
Проведено обоснование основных параметров иммитансных логических элементов: быстродействия, коэффициента объединения по входу, коэффициента разветвления, коэффициента устойчивости, потребляемой мощности и мощности, которая затрачивается на переключение. Получены аналитические выражения для этих параметров, которые могут быть использованы при реализации иммитансных ЛЭ как на биполярной, так и полевой транзисторных структурах.
 
The ground of basic parameters of immittance logical elements is conducted: fast-acting, coefficient of association on an entrance, coefficient of fork, coefficient of firmness, watts-in and power which is expended on switching. Analytical expressions are got for these parameters, what can be used for realization of immittance LE both on bipolar and to the field transistor structures.
 
URI:
http://itce.vntu.edu.ua/index.php/itce/article/view/61
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3811
View/Open
68.pdf (337.4Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ