• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Матеріали конференцій ВНТУ
  • Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи
  • Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019)
  • View Item
  • Frontpage
  • Матеріали конференцій ВНТУ
  • Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи
  • Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019)
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури

Author
Довгун, В. О.
Бєлов, В. С.
Date
2019
Metadata
Show full item record
Collections
  • Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019) [453]
Abstract
Проведено аналіз експерементального дослідження перехідних характеристик двозатворного МДН транзистору. Побудовані графіки залежностей перехідних характеристик при різних видах керування переходами.
 
The analysis of the experimental study of transient characteristics of a two-gate MOS transistor is carried out. Constructed graphs of dependencies of transient characteristics for different types of transition control.
 
URI:
https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/44678
View/Open
6182.pdf (331.9Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ