Порівняльна оцінка похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу

Abstract

Розроблено теорію оцінки похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу, проведено порівняльне оцінювання похибок перетворення однокристальних конверторів іммітансу на основі одноперехідного, біполярного та польового транзисторів й розроблено рекомендації з їх зменшення.

Разработана теория оценки погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса, проведена сравнительная оценка погрешностей преобразования однокристальных конверторов иммитанса на базе однопереходного, биполярного, полевого транзисторов и разработаны рекомендации по их уменьшению.

The theory of estimation of transformation errors of one-chip immittance converters is developed. The comparative assessment of transformation errors of one-chip immittance converters is conducted on the base of unijunction, bipolar and field-effect transistors, suggestions for their reduction are given.