• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Вісник Вінницького політехнічного інституту
  • Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2013. № 5
  • View Item
  • Frontpage
  • Періодичні видання ВНТУ
  • Вісник Вінницького політехнічного інституту
  • Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2013. № 5
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Інформаційна технологія моделювання біполярних транзисторів хвилевими цифровими фільтрами

Author
Ровінський, В. А.
Фуфалько, О. Ю.
Стрілецький, Ю. Й.
Євчук, О. В.
Date
2014-02-06
Metadata
Show full item record
Collections
  • Вісник Вінницького політехнічного інституту. 2013. № 5 [24]
Abstract
Використання цифрових хвилевих фільтрів для моделювання роботи біполярних транзисторів до останнього часу було утруднене через проблеми зі стійкістю таких схем, які пов’язані з малим вхідним діапазоном напруг біполярних транзисторів (0,6—0,7 В) для стандартних частот дискретизації робочих сигналів. В роботі застосована спрощена модель Гуммеля-Пуна для біполярного транзистора, яка дозволила розв’язати цю проблему. Запропонована ЦХФ-схема, яка дозволяє реалізувати цифрову модель біполярного транзистора.
 
Использование цифровых волновых фильтров для моделирования работы биполярных транзисторов до последнего времени было осложнено проблемами с устойчивостью таких схем, связанных с малым входным диапазоном напряжений биполярных транзисторов (0,6—0,7 В) для стандартных частот дискретизации рабочих сигналов. В работе использована упрощенная модель Гуммеля-Пуна для биполярного транзистора, которая позволила решить эту проблему. Предложена схема цифрового волнового фильтра которая позволяет реализовать цифровую модель биполярного транзистора.
 
Using wave digital filters for bipolar transistor modeling was complicated until recently due to stability problems of such circuits caused by small input voltage range of bipolar transistors (0.6—0.7 V) for standard sampling rates. In this work the simplified Gummel–Poon model of bipolar transistor was used which allowed solving this problem.
 
URI:
http://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/1037
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/6649
View/Open
1036.pdf (532.6Kb)

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ