• English
    • українська
  • English 
    • English
    • українська
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • View Item
  • Frontpage
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Микроэлектронный радиоизмерительный сенсор давления с частотным выходом

Author
Осадчук, В. С.
Осадчук, А. В.
Осадчук, Я. А.
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Osadchyk, V. S.
Date
2015-02
Metadata
Show full item record
Collections
  • Наукові роботи каф. ІРТС [790]
Abstract
В статье представлены характеристики микроэлектронного радиоизмерительного сенсора давления с частотным выходом в виде автогенераторной схемы на основе двух полевых транзисторов с различной проводимостью каналов и чувствительным к давлению конденсатором. На основе эквивалентной схемы микроэлектронного радиоизмерительного сенсора давления получены зависимости выходного сигнала от времени, функцию преобразования и чувствительности. Чувствительность устройства зависит от режима питания по постоянному току и величины давления, которое действует на чувствительную к давлению емкость, она изменяется от 470 до 235 Hz/mmHg.
 
The paper presents the characteristics of microelectronic radiomeasuring pressure sensor with frequency output in the form of autogenerating scheme based on two field­effect transistors with different channel conductivity and pressure­sensitive capacitor. Based on the equivalent circuit of microelectronic radiomeasuring pressure sensor output signal obtained depending on the time conversion function and sensitivity. The sensitivity of the device depends on the DC power and the pressure which acts on the pressure sensing capacitance, it ranges from 470 to 235 Hz/mmHg
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8221
View/Open
Стаття (833.5Kb)

Related items

Showing items related by title, author, creator and subject.

  • Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску 

    Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-01-25)
    Мікроелектронний пристрій для вимірювання тиску, який містить джерело постійної напруги, вісім резисторів, загальну шину, два конденсатора та дві вихідні клеми, введені двостоковий тензочутливий МОН-транзистор, двозатворний ...
  • Сенсор малих тисків 

    Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Червак, Оксана Петрівна; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-05-25)
    Сенсор малих тисків, який містить напівпровідниковий тензодіод, загальну шину, дві клеми, джерело постійної напруги, ємність, індуктивність, три резистори, причому перший полюс джерела постійної напруги з'єднаний із першим ...
  • Мікроелектронний перетворювач малих тисків 

    Осадчук, Олександр Володимирович; Осадчук, Володимир Степанович; Осадчук, Ярослав Олександрович; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Владимир Степанович; Осадчук, Ярослав Александрович; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2017-06-12)
    Мікроелектронний перетворювач малих тисків, який містить напівпровідниковий тензодіод, загальну шину, дві клеми, джерело постійної напруги, ємність, індуктивність, чотири резистори, причому перший полюс джерела постійної ...

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

LoginRegister

Statistics

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ