Дослідження повного опору магніточутливого тиристора

Abstract

Розроблено математичну модель магніточутливого тиристора, що дає змогу розрахувати зміну повного опору при дії магнітного поля. Магнітотиристор подано у вигляді еквівалентної схеми, яка складається з двох магнітотранзисторів. На основі аналітичних виразів для параметрів магнітотранзисторів отримано графічні залежності активної та реактивної складових повного опору магнітотиристора, які підтверджуються експериментальними даними.

A mathematical model magnetosensitive thyristor had designed. It allows to calculate the change in impedance when exposed to a magnetic field. Magnitotiristor represented as an equivalent circuit consisting of two magnetotransistor. On the basis of analytical expressions for the parameters o