Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах
Автор
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Дата
2013Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
The paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed dependence of the threshold voltage, saturation voltage, gate-source voltage of the pressure action. Most dependence of these parameters on the pressure observed at work MOS transistor in saturation at high
pressures greater than 108 Pa.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8403