Моделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури
Автор
Осадчук, О. В.
Осадчук, Я. О.
Павлик, Б. П.
Кравчук, Н. С.
Дата
2014-01Metadata
Показать полную информациюCollections
- Наукові роботи каф. ІРТС [778]
Аннотации
В роботі представлено математичні моделі впливу температури на імпеданс ділянки "витікстік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об`ємі каналу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах. The paper presents the mathematical model the effect of temperature on the impedance region "sourcedrain" of the two gate
MOSFET. The models take into account the surface states on the reactive properties of these structures. The analysis of physical processes on
the surface and in the two channel MOSFET gate obtained
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8421