Search
Now showing items 171-180 of 203
Optical-frequency gas flow meter on the basis of transistor structures with negative differential resistance
(SPIE, 2020)
The article investigated the optical-frequency gas flow meter based on a transistor structure with negative differential resistance (NDR). A schematic diagram and design of an optical-frequency gas flow transducer that ...
Development of the construction sketch of N-channel MOS-phototransistor with bilateral illumination of channel and operation card of its making
(SPIE, 2018)
In the article the physical mechanism of optical radiation co-operation with semiconductor devices, technological route of making of MOS - phototransistor with bilateral illumination of channel has been considered. Also ...
Research on a magnetic field sensor with a frequency output signal based on a tunnel-resonance diode
(Lublin University of Technology, 2020)
Based on the consideration of physical processes in a tunnel-resonant diode under the action of a magnetic field, the construction of an autogenerating magnetic field sensor with a frequency output signal is proposed. The ...
Radiomeasuring pressure transducer with sensitive MEMS Capacitor
(Stowarzyszenie Polskich Inżynierów Elektryków i Elektroników, 2017)
In the article the pressure transducer with frequency output based on the structure of the bipolar-field transistors with negative resistance and tenso sensitive MEMS capacitor has been considered. A mathematical model of ...
Дослідження сенсора температури з частотним виходом на основі квантової гетероструктури з від'ємним диференційним опором
(Хмельницький національний університет, 2021)
Розгляд фізичних процесів у квантовій двобар`єрній гетероструктурі, яка є основою розбудови тунельно-резонансних діодів показав, що тунельно-резонансні діоди можна використовувати як сенсори температури з частотним вихідним ...
Дослідження генератора електричних коливань на основі тунельно-резонансного діода
(Таврійський національний університет імені В. І. Вернадського, 2020)
На основі повної еквівалентної схеми тунельно-резонансного діода, яка враховує його ємнісні та індуктивні властивості, складено диференційне рівняння другого порядку, що описує фізичні процеси
в коливальній системі ...
Дослідження реактивних властивостей тунельно-резонансного діода
(Хмельницький Національний університет, 2020)
На основі розгляду фізичних процесів у тунельно-резонансному діоді визначено аналітичні формули ємності та індуктивності, які залежать як від технологічних параметрів, так і від режиму роботи. Показано, що ємність діода ...
Математична модель газореактивного ефекту в напівпровідникових сенсорах газу
(Хмельницький Національний університет, 2019)
В роботі розглянуто математичну модель газореактивного ефекту в первинних газочутливих напівпровідникових сенсорах, що описує залежність активної складової повного опору приповерхневого шару
напівпровідникового газочутливого ...
Мікроелектронний перетворювач «вологість-частота» з ємнісними елементами на основі вологочутливих пористих шарів
(Хмельницький Національний університет, 2018)
Розроблено мікроелектронний частотний перетворювач вологості з вологочутливими конденсаторами Р14 Rapid (Wired і SMD) фірми «Innovative sensor technology», вологочутливим конденсатором HСH1000
фірми «Honeywell» та ...
Оптико-частотний витратомір газу
(Хмельницький Національний університет, 2021)
В роботі представлено дослідження оптико-частотного витратоміра газу на основі транзисторної структури з від`ємним диференційним опором. Розроблено математичну модель оптико-частотного
витратоміра з фоточутливим резистивним ...

