<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<title>Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. 2019. № 2</title>
<link href="https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31592" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31592</id>
<updated>2026-04-14T20:16:25Z</updated>
<dc:date>2026-04-14T20:16:25Z</dc:date>
<entry>
<title>Використання фракталів для аналізу біосигналів</title>
<link href="https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/43094" rel="alternate"/>
<author>
<name>Нікітчук, Т. М.</name>
</author>
<author>
<name>Коломієць, Р. О.</name>
</author>
<author>
<name>Злепко, С. М.</name>
</author>
<author>
<name>Вуйцік, В.</name>
</author>
<author>
<name>Nikitchuk, T.</name>
</author>
<author>
<name>Kolomiets, R.</name>
</author>
<author>
<name>Zlepko, S.</name>
</author>
<author>
<name>Vuytsyk, V.</name>
</author>
<id>https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/43094</id>
<updated>2024-07-31T14:01:48Z</updated>
<published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Використання фракталів для аналізу біосигналів
Нікітчук, Т. М.; Коломієць, Р. О.; Злепко, С. М.; Вуйцік, В.; Nikitchuk, T.; Kolomiets, R.; Zlepko, S.; Vuytsyk, V.
В роботі показана можливість застосування фракталів та їх кількісних показників для дослідження біосигналів, а саме пульсових сигналів з метою подальшої оцінки шуму в сигналі та в якості кількісних показників фазових портретів пульсограм; Вработе  показана  возможность  применения  фракталов  и  их  количественных показателей  для  исследования  биосигналов,  а  именно  пульсовых  сигналов  с  целью дальнейшей  оценки  шума  в  сигнале  и  в  качестве  количественных  показателей  фазовых портретов пульсограмм.; he  paper  shows  the  possibility  of  using  fractals  and  their  quantitative  indices  for  the study of bio signals, namely pulse signals for the purpose of further estimation of signal noise and as quantitative indicators of phase portraits of pulsograms.
</summary>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Industrial internet of things: практичне вивчення на базі багатофункціональної комп’ютеризованої лабораторії</title>
<link href="https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31609" rel="alternate"/>
<author>
<name>Папінов, В. М.</name>
</author>
<author>
<name>Кулик, Я. А.</name>
</author>
<author>
<name>Papinov, V. M.</name>
</author>
<author>
<name>Kulyk, Ya. A.</name>
</author>
<id>https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31609</id>
<updated>2021-03-19T11:31:48Z</updated>
<published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Industrial internet of things: практичне вивчення на базі багатофункціональної комп’ютеризованої лабораторії
Папінов, В. М.; Кулик, Я. А.; Papinov, V. M.; Kulyk, Ya. A.
У статті розглядаються навчально-методичні аспекти організації на базі&#13;
багатофункціональної комп’ютеризованої лабораторії практичного вивчення студентами&#13;
спеціальності 151 «Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології» основних&#13;
інформаційних технологій промислового Інтернету речей та їх використання в системах&#13;
управління виробництвом.; В статье рассматриваются учебно-методические аспекты организации на базе&#13;
многофункциональной компьютеризированной лаборатории практического изучения&#13;
студентами специальности 151 «Автоматизация и компьютерно-интегрированные&#13;
технологии» основных информационных технологий промышленного Интернета вещей и их&#13;
использование в системах управления производством.; In article are considering the education-methodical aspects of organization on a base of&#13;
multifunctional computerized lab of practice learning by students of specialty 151 "Automation and&#13;
computer-integration technologies" of the fundamental IIoT information technologies and its using&#13;
in MES.
</summary>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Experimental research of high-frequency magamp power converters for synchronous rectification</title>
<link href="https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31608" rel="alternate"/>
<author>
<name>Yaskiv, V.</name>
</author>
<author>
<name>Ясків, В. І.</name>
</author>
<id>https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31608</id>
<updated>2021-03-19T11:06:58Z</updated>
<published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Experimental research of high-frequency magamp power converters for synchronous rectification
Yaskiv, V.; Ясків, В. І.
The results of experimental research of high-efficiency high-frequency power supplies&#13;
for specialized computer systems that require high load current at low output voltage are given in&#13;
the article. In particular, the new methods for the design of MOSFET synchronous rectifiers in&#13;
power converters based on high-frequency magnetic amplifiers are investigated. The proposed&#13;
methods allow obtaining significantly higher power converters efficiency compared to existing&#13;
ones.; У статті наведені результати експериментальних досліджень високоефективних&#13;
високочастотних джерел живлення для спеціалізованих комп'ютерних систем, які&#13;
потребують високого струму навантаження при низькій вихідній напрузі. Зокрема,&#13;
досліджуються нові методи проектування синхронних випрямлячів MOSFET в&#13;
перетворювачах потужності на основі високочастотних магнітних підсилювачів.&#13;
Запропоновані способи дозволяють отримати значно більшу ефективність перетворювачів&#13;
потужності порівняно з існуючими.
</summary>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа</title>
<link href="https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31604" rel="alternate"/>
<author>
<name>Осадчук, А. В.</name>
</author>
<author>
<name>Осадчук, В. С.</name>
</author>
<author>
<name>Осадчук, Я. А.</name>
</author>
<author>
<name>Osadchuk, O. V.</name>
</author>
<author>
<name>Osadchuk, V. S.</name>
</author>
<author>
<name>Osadchuk, Y. A.</name>
</author>
<id>https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/31604</id>
<updated>2021-03-19T10:25:02Z</updated>
<published>2019-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Математическое моделирование физического механизма образования объёмного приповерхностного заряда в полупроводниках для интеллектуальных частотных сенсоров концентрации газа
Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А.; Osadchuk, O. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Y. A.
В работе рассмотрена математическая модель физического механизма&#13;
возникновения объемного приповерхностного заряда в полупроводниках в первичных&#13;
газочувствительных полупроводниковых сенсорах, описывающая зависимость активной&#13;
составляющей полного сопротивления приповерхностного слоя полупроводникового&#13;
газочувствительного элемента при адсорбции молекул газа. Избыточные носители заряда&#13;
при адсорбции изменяют распределение электростатического поверхностного потенциала в&#13;
слое пространственного заряда. Решение уравнения Пуассона позволило получить&#13;
выражения для активной составляющей полного сопротивления на поверхности&#13;
электронного и дырочного полупроводников газочувствительных сенсоров при адсорбции&#13;
молекул газа. Представлена экспериментальная зависимость изменения сопротивления&#13;
полупроводникового газочувствительного сенсора на основе ZnO от изменения&#13;
концентрации метана.; In the article, a mathematical model of the physical mechanism of the occurrence of a&#13;
bulk surface charge in semiconductors in primary gas sensitive semiconductor sensors is&#13;
considered. The mathematical model describes the dependence of the active component of the&#13;
impedance of the surface layer of a semiconductor gas-sensitive element during the adsorption of&#13;
gas molecules. Excess charge carriers during adsorption change the distribution of the electrostatic&#13;
surface potential in the space charge layer. The solution of the Poisson equation made it possible to&#13;
obtain expressions for the active component of the impedance on the surface of the electron and&#13;
hole semiconductors of gas-sensitive sensors during the adsorption of gas molecules. An&#13;
experimental dependence of a change in the resistance of a semiconductor gas-sensitive sensor&#13;
based on ZnO on a change in methane concentration is presented.
</summary>
<dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
